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IRF1010ZSTRLPBF  与  IPB090N06N3 G  区别

型号 IRF1010ZSTRLPBF IPB090N06N3 G
唯样编号 A-IRF1010ZSTRLPBF A-IPB090N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@75A,10V 9mΩ
上升时间 - 40ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 94A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 71W
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

10.4mm D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB081N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB081N06L3GATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60BS_SOT404

¥6.7363 

阶梯数 价格
210: ¥6.7363
400: ¥5.7087
800: ¥5.2373
0 对比
IPB090N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB090N06N3GATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

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